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薄膜沉積

  1. 蒸鍍:AL/Au/Pt/Ti/Sn/Cr/Ta/Ag
  2. 硅:多晶硅
  3. 氧化硅:APCVD/PECVD/低應力
  4. 氮化硅:LPCVD/PECVD/低應力
  5. 合金
  6. 退火

光刻

  1. 涂膠:旋涂
  2. 普通光阻:正膠/負膠
  3. 特殊光阻:SU8/Polyide
  4. 曝光:l-Line步近式,1X接近式/接觸式,單面/雙面曝光
  5. 顯影

晶圓鍵合

  1. 陽(yáng)極鍵合:硅-玻璃
  2. 硅硅鍵合:硅-硅,硅-氧化硅
  3. 共晶鍵合:硅-
  4. 金屬熱壓:金-

     

干法刻蝕

  1. 深硅刻蝕
  2. HF釋放
  3. 單晶硅/多晶硅刻蝕
  4. 氧化硅/氮化硅刻蝕
  5. PI刻蝕
  6. 光刻膠去除

濕法刻蝕

  1. 晶圓清洗
  2. SC1/SC2/SPM/DHF/兆聲/超聲
  3. 單晶硅/多晶硅刻蝕
  4. 氮化硅/氮化硅刻蝕
  5. HF/BOE濕法釋放刻蝕
  6. 甩干干燥/烘箱干燥/IPA干燥
  7. 金屬刻蝕:AL/Au/Ti/Cr
  8. 金屬剝離
  9. 光刻膠去除

測量-形貌/尺寸

  1. 3D形貌
  2. 臺階高度測量
  3. CD測量(OM/SEM
  4. 套刻精度測量
  5. 薄膜厚度測量
  6. 晶圓厚度測量
  7. 曲率半徑測量
  8. 紅外/光學(xué)顯微鏡

測量-電性/機械/其它

  1. 探針臺
  2. 電阻/電容測量
  3. 應力檢測
  4. 顆粒檢測
  5. 缺陷檢測
  6. FTIR
  7. SEM
 
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電話(huà): 0573-83955172 傳真: 0573-83956667

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